[发明专利]氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅TFT基板的制备方法

权利要求书

1.一种氧化硅薄膜的沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一化学气相沉积装置(110)，所述化学气相沉积装置(110)具有一反应腔室(120)，所述反应腔室(120)的上方设有紫外光源(130)；

步骤2、在所述反应腔室(120)的底部放置一基板(210)，向所述反应腔室(120)中通入有机硅烷气体和氧气，打开所述紫外光源(130)，所述氧气在紫外光的照射下分解产生游离氧，所述有机硅烷气体和游离氧发生化学反应生成氧化硅，沉积于基板(210)上形成氧化硅薄膜(250)；

所述紫外光源(130)发出的紫外光为波长在10nm到14nm之间的极紫外光；

所述有机硅烷气体为四乙氧基硅烷，所述四乙氧基硅烷与氧气在紫外光下反应生成氧化硅的反应式为：Si(OC₂H₅)₄+O₂→SiO_x+2H₂O+CO₂。

2.一种低温多晶硅TFT基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上依次形成缓冲层(20)与多晶硅层(30)；

步骤2、对所述多晶硅层(30)进行图形化处理，形成多晶硅岛(40)，对所述多晶硅岛(40)的中间区域进行P型轻掺杂，得到沟道区(41)，对所述多晶硅岛(40)的两侧进行N型或P型重掺杂，得到源极接触区(42)与漏极接触区(43)；

步骤3、提供一化学气相沉积装置(110)，所述化学气相沉积装置(110)具有一反应腔室(120)，所述反应腔室(120)的上方设有紫外光源(130)；

将所述具有多晶硅岛(40)及缓冲层(20)的基板(10)放置于所述反应腔室(120)的底部，向所述反应腔室(120)中通入有机硅烷气体和氧气，打开所述紫外光源(130)，所述氧气在紫外光的照射下分解产生游离氧，所述有机硅烷气体和游离氧发生化学反应生成氧化硅，沉积于多晶硅岛(40)及缓冲层(20)上形成氧化硅薄膜(250)；

步骤4、在所述氧化硅薄膜(250)上沉积氮化硅薄膜(260)，得到由氧化硅薄膜(250)与氮化硅薄膜(260)叠加构成的栅极绝缘层(50)；

步骤5、在所述栅极绝缘层(50)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，得到栅极(60)；

步骤6、在所述栅极(60)、及栅极绝缘层(50)上形成层间绝缘层(70)，对所述层间绝缘层(70)及栅极绝缘层(50)进行图形化处理，得到对应于所述源极接触区(42)与漏极接触区(43)上方的过孔(71)；

步骤7、在所述层间绝缘层(70)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理，得到源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)与漏极(82)分别经由过孔(71)与所述多晶硅岛(40)上的源极接触区(42)与漏极接触区(43)相接触；

所述紫外光源(130)发出的紫外光为波长在10nm到14nm之间的极紫外光；

所述有机硅烷气体为四乙氧基硅烷，所述四乙氧基硅烷与氧气在紫外光下反应生成氧化硅的反应式为：Si(OC₂H₅)₄+O₂→SiO_x+2H₂O+CO₂。

3.如权利要求2所述的低温多晶硅TFT基板的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层(30)的制作过程为：在所述缓冲层(20)上沉积非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(30)，所述低温结晶工艺为准分子激光退火法或金属诱导横向晶化法。

4.如权利要求2所述的低温多晶硅TFT基板的制备方法，其特征在于，所述基板(10)为玻璃基板；所述缓冲层(20)、层间绝缘层(70)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层；所述栅极(60)、源极(81)、漏极(82)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。