[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610054579.9 申请日: 2016-01-27
公开(公告)号: CN105514280B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 范利生;田清勇;王佳冬;陈加坡;瞿光胤;范斌 申请(专利权)人: 苏州协鑫纳米科技有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池。所述钙钛矿太阳能电池为叠层结构,从下至上依次设有基底、透明电极、致密电子传输层、介孔层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极。制备方法:在基底上蒸镀或溅射透明电极;在透明电极上涂分散液,烧结后,制成电子传输层;在电子传输层上涂分散液,烧结后,制成介孔层;在介孔层上涂布一步法钙钛矿碱性溶液,退火后,制备成钙钛矿晶体薄膜;在钙钛矿晶体薄膜上制备对电极,制得钙钛矿太阳能电池。制备的钙钛矿薄膜晶体厚度高且致密,完全消除孔洞、针眼等现象,且钙钛矿优质成膜重现性非常良好,大大提高钙钛矿电池的稳定性和光电转换效率。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于其为叠层结构,从下至上依次设有基底、透明电极、致密电子传输层、介孔层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极;所述基底选自透明玻璃基底、PET塑料基底、PEN塑料蒸镀ITO基底、PEN塑料蒸镀FTO基底、PEN塑料蒸镀AZO基底、PEN塑料溅射ITO基底、PEN塑料溅射FTO基底、PEN塑料溅射AZO基底中的一种;所述透明电极选自ITO、FTO和AZO透明导电电极中的一种;所述致密电子传输层选自TiO2、ZnO电子传输层中的一种;所述介孔层选自TiO2、SiO2、Al2O3介孔层中的一种;所述钙钛矿吸光层采用具有钙钛矿结构的薄膜晶体材料吸光层,钙钛矿吸光层选自MAxFA1‑xPbI3‑yBry、MAxFA1‑xPbI3‑yCly、MAxFA1‑xPbBr3‑yCly吸光层中的一种,其中x:0~1;y:0~3;所述空穴传输层选自Spiro‑OMeTAD、P3HT空穴传输层中的一种;所述对电极选自Ag电极、Au电极、复合碳浆电极、复合银浆电极中的一种;所述钙钛矿太阳能电池由以下方法制备:1)在基底上蒸镀或溅射透明电极;2)在步骤1)所得的透明电极上涂分散液,烧结后,制成电子传输层;3)在步骤2)所得的电子传输层上涂分散液,烧结后,制成介孔层;4)在步骤3)所得的介孔层上涂布一步法钙钛矿碱性溶液,退火后,制备成钙钛矿晶体薄膜;所述一步法钙钛矿碱性溶液包括碱性溶液和钙钛矿晶体;所述碱性溶液包括溶剂和碱性物质;所述溶剂选自DMF、DMSO、γ‑丁内酯中的一种;所述碱性物质选自氨气、甲胺、乙胺、三乙胺中的一种;所述钙钛矿晶体选自MAxFA1‑xPbI3‑yBry、MAxFA1‑xPbI3‑yCly、MAxFA1‑xPbBr3‑yCly材料中的一种,其中,x:0~1;y:0~3;所述退火的条件经60~100℃退火10~30min;5)在步骤4)所得钙钛矿晶体薄膜上制备对电极,制得钙钛矿太阳能电池。
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