[发明专利]一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201610054541.1 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105648535B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李含冬;龙城佳;任武洋;高磊;张忠阳;李勇;姬海宁;戴丽萍;周志华;牛晓滨;王志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块。本发明所述的制备硫系化合物异质结构的方法及装置，使不同材料的沉积过程都处于真空环境下，且避免了不同材料之间的交叉污染，操作简单、成本低廉，制备得到的异质结构界面结构完整，结晶质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 化合物 结构 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硫系化合物异质结构的装置，包括管式炉(5)和石英管(1)，其特征在于：所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块；所述石英管(1)内放置有第一源坩埚(2)、第二源坩埚(3)和样品托(4)，所述第一源坩埚(2)、第二源坩埚(3)和样品托(4)分别平放于石英管(1)中的第三滑槽(6c)、第一滑槽(6a)以及第二滑槽(6b)内，第一源坩埚(2)和第二源坩埚(3)为筒形结构，且开口指向载气气流输运方向，有利于抑制生长过程中源蒸汽的逆扩散，减少对放置在第一管口(8)处其它源的污染，第一源坩埚(2)、第二源坩埚(3)和样品托(4)放置于每根滑槽内的两个磁性滑块之间，用以实现磁力耦合推动坩埚或衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610054541.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种离心螺旋纺丝装置
- 下一篇：一种异质衬底表面改性调控基片弯曲度的方法
