[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201610053787.7 | 申请日: | 2016-01-27 |
公开(公告)号: | CN105870117B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 桥谷雅幸;长谷川尚;高品隆之;增子裕之 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置,该半导体装置在第1外部连接端子与被连接于VSS的第2外部连接端子之间具有作为ESD保护元件的截止晶体管和输出元件,其中,密封环布线利用连接布线而与从第2外部连接端子至截止晶体管的源极的第1内部布线并列地连接,该部分的寄生电阻比连接截止晶体管的源极与输出元件的源极的第2内部布线的寄生电阻小。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置由下述部分构成:第1外部连接端子;第2外部连接端子,所述第2外部连接端子被连接于比所述第1外部连接端子低的电位;作为ESD保护元件的截止晶体管和输出元件,所述截止晶体管和输出元件并列地配置在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间;以及密封环布线,所述密封环布线与所述第2外部连接端子连接,通过利用连接布线将连接所述第2外部连接端子和所述截止晶体管的源极的第1内部布线与所述密封环布线并列地连接,使得所述第1内部布线的寄生电阻即截止晶体管的源极寄生电阻比连接所述截止晶体管的源极和所述输出元件的源极的第2内部布线的寄生电阻即输出元件的源极寄生电阻小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司,未经艾普凌科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610053787.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:照明灯泡及其散热机构
- 下一篇:LED球泡灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的