[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610053787.7 申请日: 2016-01-27
公开(公告)号: CN105870117B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 桥谷雅幸;长谷川尚;高品隆之;增子裕之 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体装置,该半导体装置在第1外部连接端子与被连接于VSS的第2外部连接端子之间具有作为ESD保护元件的截止晶体管和输出元件,其中,密封环布线利用连接布线而与从第2外部连接端子至截止晶体管的源极的第1内部布线并列地连接,该部分的寄生电阻比连接截止晶体管的源极与输出元件的源极的第2内部布线的寄生电阻小。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置由下述部分构成:第1外部连接端子;第2外部连接端子,所述第2外部连接端子被连接于比所述第1外部连接端子低的电位;作为ESD保护元件的截止晶体管和输出元件,所述截止晶体管和输出元件并列地配置在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间;以及密封环布线,所述密封环布线与所述第2外部连接端子连接,通过利用连接布线将连接所述第2外部连接端子和所述截止晶体管的源极的第1内部布线与所述密封环布线并列地连接,使得所述第1内部布线的寄生电阻即截止晶体管的源极寄生电阻比连接所述截止晶体管的源极和所述输出元件的源极的第2内部布线的寄生电阻即输出元件的源极寄生电阻小。
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