[发明专利]一种大尺寸AMOLED显示基板及其制作方法有效
申请号: | 201610048621.6 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105679799B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 程磊磊;王东方;黄勇潮;周斌;丁录科;何敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种AMOLED及其制作方法。所述AMOLED的制作工艺包括如下步骤:1)在基底上表面形成TFT器件;2)在基底下表面形成功能层;3)由TFT器件和功能层组成蒸镀基板,将蒸镀基板的功能层一侧贴附在承载基台上;4)将贴附在承载基台上的蒸镀基板通过蒸镀设备,蒸镀处理后在器件表面形成有机电致发光材料层;5)在封装基台上进行封装,形成保护层;6)移除封装基台,得到AMOLED显示基板。本发明通过溶液制程法将纳米磁性无机物制作在基板背面,使基板具有磁性,改善了大尺寸AMOLED基板与Mask贴附方式,提升了工艺良率;通过改善纳米磁性无机物在基板上的图案化设计,减小基板在生产过程中产生的静电,从而减少静电积累放电对TFT电路及AMOLED性能的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 amoled 显示 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种AMOLED显示基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在基底上表面形成TFT器件;2)在基底下表面形成功能层,所述功能层的制备包括如下步骤:S21、通过涂布工艺或者旋涂工艺在基底下表面形成硅氧烷材料层;S22、将磁性纤蛇纹石纳米管材料分散在溶剂中,通过溶液制程法在硅氧烷材料层上形成图案化,再对硅氧烷材料层进行低温固化成型,形成功能层;3)由TFT器件和功能层组成蒸镀基板,将蒸镀基板的功能层一侧贴附在承载基台上;4)将贴附在承载基台上的蒸镀基板通过蒸镀设备中的In‑Line装置,蒸镀处理后在器件表面形成有机电致发光材料层;5)在封装基台上对有机电致发光材料层进行封装,形成保护层;6)移除封装基台,得到AMOLED显示基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的