[发明专利]具有非对称鳍形图案的半导体器件

摘要

提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，其包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；以及场绝缘薄膜，其与所述第一鳍形图案的至少一部分接触，其中，所述第一鳍形图案包括：第一鳍形图案的下部，其与所述场绝缘薄膜接触；第一鳍形图案的上部，其不与所述场绝缘薄膜接触；第一边界，其位于所述第一鳍形图案的下部与所述第一鳍形图案的上部之间；以及第一鳍中心线，其垂直于所述第一边界且与所述第一鳍形图案的上部的顶部交会；并且其中，所述第一鳍形图案的上部的第一侧壁与所述第一鳍形图案的上部的第二侧壁相对于所述第一鳍中心线不对称，其中，在与所述第一边界相距第一距离的所述第一鳍形图案的上部中，所述第一侧壁的斜率被定义为第一斜率，所述第二侧壁的斜率被定义为第二斜率，所述第一鳍中心线与所述第一侧壁之间的宽度被定义为第一宽度，并且所述第一鳍中心线与所述第二侧壁之间的宽度被定义为第二宽度；并且其中，所述第一斜率和所述第二斜率彼此不同，或者所述第一宽度和所述第二宽度彼此不同。