“鳍形”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1315110个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]游泳鳍形件-CN202011575673.1在审
发明人：约瑟夫·D·马雷什 -专利权人：约瑟夫·D·马雷什
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： A63B31/11 文献下载
摘要：本发明涉及游泳鳍形件。一种游泳鳍形件可包括构造成接纳游泳者的足部的足袋和从足袋延伸的鳍形件叶片。相对刚硬的基底底座可结合到足袋。鳍形件叶片可相对柔韧。鳍形件轨道可沿着鳍形件叶片的侧向边缘延伸。鳍形件轨道可包括鳍形件脊，鳍形件脊包括处于线性构造的多个鳍形件脊节段。鳍形件脊可构造成为游泳鳍形件提供预确定的流体动力学特性。游泳鳍形件可在最大冲角内挠曲，最大冲角可以是可变的，并且根据在踢动循环期间由游泳者生成的踢动力而在预确定的最大冲角范围内动态地改变。
游泳鳍形件

[外观设计]鳍形天线-CN201630087876.4有效
发明人： R.昆兰;D.奥希 -专利权人：陶格拉斯集团控股公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：鳍形天线。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作天线。3．本外观设计产品的设计要点：如图所示的形状和图案特征。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
天线

[发明专利]具有非对称鳍形图案的半导体器件-CN201610028951.9有效
发明人：刘庭均;朴世玩;成百民;郑宝哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
鳍形图案场绝缘薄膜半导体器件第二侧壁第一侧壁彼此相对不对称非对称交会垂直

[发明专利]具有非对称鳍形图案的半导体器件-CN201710605943.0有效
发明人：刘庭均;朴世玩;成百民;郑宝哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
具有对称图案半导体器件

[发明专利]制造具有鳍形图案的半导体器件的方法-CN201610032156.7有效
发明人：刘庭均;朴世玩;都承右;朴寅源;成石铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。
制造具有图案半导体器件方法

[发明专利]一种全包围栅极器件形成纳米线的方法-CN201210183171.3有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提出一种全包围栅极器件形成纳米线的方法，包括步骤：提供半导体衬底，包括基底层以及立于基底层上的鳍形沟道结构，鳍形沟道结构包括半导体材料的鳍形沟道以及覆盖鳍形沟道顶部的硬掩膜层；对鳍形沟道进行氧化处理，使得鳍形沟道侧壁表面被氧化层覆盖包围；进行湿法回推，去除鳍形沟道的顶部拐角处的氧化层，使鳍形沟道的顶部拐角的半导体材料部分暴露；在鳍形沟道的顶部拐角暴露出的半导体材料处生长外延线；移除硬掩膜层和鳍形沟道侧壁上剩余的氧化层；热氧化处理鳍形沟道使其完全转化为氧化物，去除氧化物，使外延线转变为悬空于基底层上方的纳米线。
一种包围栅极器件形成纳米方法

[实用新型]一种新型旋风分离式干熄焦余热锅炉的省煤器-CN202321250527.0有效
发明人：汤习中;杜兵;曾强;杨松;罗元碧;成波罗;赵杰 -专利权人：四川川锅锅炉有限责任公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F24H9/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型旋风分离式干熄焦余热锅炉的省煤器，其包括包括换热管，所述换热管上间隔设置有多个鳍片组，所述鳍片组包括两个片面均与所述换热管相垂直的第一方形鳍片和第二方形鳍片，所述第一方形鳍片和所述第二方形鳍片连接，所述第一方形鳍片与所述第二方形鳍片对称设置、且大小相同，所述第一方形鳍片的内侧和所述第二方形鳍片的内侧均开有圆弧形凹槽，所述圆弧形凹槽与所述换热管相适应。本实用新型提高了焦粉的提供率，减轻了积灰问题，提高鳍片的传热效率，同时第一方形鳍片和第二方形鳍片之间可拆卸连接，便于工作人员清理和维护鳍片组。
一种新型旋风分离式干熄焦余热锅炉省煤器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610382262.8在审
发明人：金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括在一方向上按照一行排列的第一鳍形图案和第二鳍形图案、第一鳍形图案与第二鳍形图案之间的沟槽、填充沟槽的一部分的场绝缘层、在场绝缘层上跨过第一鳍形图案与第二鳍形图案之间的绝缘线图案。绝缘线图案的底表面低于第一鳍形图案的顶表面和第二鳍形图案的顶表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201710130993.8有效
发明人：郑在烨;严命允;车东镐;刘庭均;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法-CN201611040542.7在审
发明人：黄秋铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法，其包括提供制备好鳍形半导体基体的半导体衬底，所述鳍形半导体基体包含源区和漏区以及位于两者之间的鳍形沟道区；在半导体基体上覆盖一层氧化物层；化学机械磨平氧化物层至鳍形沟道区基体露出；从上部去除部分鳍形沟道区基体，形成鳍形沟道；对鳍形沟道进行掺杂外延生长；去除部分氧化物层至非掺杂鳍形沟道区基体露出部分；蚀刻露出部分的非掺杂鳍形沟道区基体，形成悬空于衬底上方的沟道结构；在沟道外围形成保护层本发明利用鳍形沟道结构中掺杂层和非掺杂层的湿法蚀刻速度的差异，蚀刻非掺杂鳍形沟道区基体，形成悬空于衬底上方的沟道结构，这种全包围栅极结构有效的抑制了短沟道效应，漏场和穿通等问题，提高了器件性能。
一种包围栅极半导体器件制备方法

[发明专利]具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法-CN202111364181.2在审
发明人： G·比马拉塞蒂;W·M·哈菲兹;J·朴;韩卫民;R·E·科特纳;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：说明了具有ω形鳍部的非平面半导体器件以及制造具有ω形鳍部的非平面半导体器件的方法，该ω形鳍部具有经掺杂的子鳍部区域。例如，一种半导体器件，包括设置在半导体衬底之上的多个半导体鳍部，每个半导体鳍部具有在突出部分下方的子鳍部部分，该子鳍部部分比该突出部分窄。固态掺杂剂源层设置在半导体衬底之上，与多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的子鳍部区域共形，但不与突出部分共形。隔离层设置在固态掺杂剂源层之上并且在多个半导体鳍部的子鳍部区域之间。栅极叠置体设置在隔离层之上并与多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的突出部分共形。
具有带有掺杂子鳍部区域形鳍部平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法-CN201480079228.2有效
发明人： G·比马拉塞蒂;W·M·哈菲兹;J·朴;韩卫民;R·E·科特纳;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：说明了具有ω形鳍部的非平面半导体器件以及制造具有ω形鳍部的非平面半导体器件的方法，该ω形鳍部具有经掺杂的子鳍部区域。例如，一种半导体器件，包括设置在半导体衬底之上的多个半导体鳍部，每个半导体鳍部具有在突出部分下方的子鳍部部分，该子鳍部部分比该突出部分窄。固态掺杂剂源层设置在半导体衬底之上，与多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的子鳍部区域共形，但不与突出部分共形。隔离层设置在固态掺杂剂源层之上并且在多个半导体鳍部的子鳍部区域之间。栅极叠置体设置在隔离层之上并与多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的突出部分共形。
具有带有掺杂子鳍部区域形鳍部平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括应力诱导层的集成电路(IC)器件-CN201610366218.8有效
发明人：成石铉;刘庭均;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。
包括应力诱导集成电路 ic 器件

[发明专利]半导体装置-CN201811176477.X在审
发明人：刘庭均;金东铉;金竝基;南润锡;全英敏;朴成哲;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。
鳍形图案栅极结构半导体装置场绝缘膜分隔结构基底彼此分开绝缘材料顶表面分隔延伸

[实用新型]一种热管散热器-CN202122409433.0有效
发明人：翟南川 -专利权人：深圳市鼎盛泓科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热管散热器，包括散热鳍片组、风扇、底板和U形热管，所述散热鳍片组由若干个散热鳍片叠加构成，相邻的散热鳍片之间构形成风道；U形热管上部的叉管贯穿散热鳍片组，U形热管底部的横管固定在底板上，散热鳍片的中部包括波浪形的曲面，形成散热鳍片之间波浪形的风道；波浪形曲面延伸的轴线方向与风道气流的轴线方向正交。本实用新型波浪形散热鳍片加长了散热鳍片的横向长度，在限定散热器尺寸空间中提高了风道的有效宽度和散热鳍片的散热面积，改善散热器的散热效果。
一种热管散热器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条