[发明专利]发光二极管封装结构

摘要

本发明提供了一种发光二极管封装结构，包括一导电架组合、一反射壳体、一紫外光LED晶片置于该导电架组合上以及一固晶胶黏固该紫外光LED晶片于该导电架组合，反射壳体包括硅树脂模塑料及混合于硅树脂模塑料内的填充材；其中填充材的能隙(energy gap)大于4电子伏特(eV)；本发明的填充材及其能隙可藉由下述公式选择，当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异小于或等于0.2时，该填充材的能隙满足公式：E≥1240(nm·eV)/(λ‑150(nm))；当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异大于0.2时，该填充材的能隙满足下列公式：E≥1240(nm·eV)/(λ‑50(nm))。本发明的发光二极管封装结构制造成本更低廉，制造更为方便，可以依设定所需的波长，选择符合的填充材材料。

主权项

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一导电架组合；一反射壳体，结合于该导电架组合，该反射壳体围设形成一容置空间；该反射壳体包括硅树脂模塑料、及混合于该硅树脂模塑料内的填充材；一紫外光LED晶片，置于该导电架组合上，且位于该容置空间内，以产生紫外光，该反射壳体反射该紫外光的反射率大于60％；以及一固晶胶，黏固该紫外光LED晶片于该导电架组合；其中该填充材的能隙大于4电子伏特；当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异小于或等于0.2时，该填充材的能隙满足下列公式：E≥1240(nm·eV)/(λ‑150(nm))；其中1240＝h×c；h为普朗克常数；c为光速；λ为上述紫外光LED晶片的波长。