[发明专利]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201610025258.6 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN106972093B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 简伊辰;徐世昌 申请(专利权)人: 光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/62
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 213161 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【说明书】:

发明提供了一种发光二极管封装结构,包括一导电架组合、一反射壳体、一紫外光LED晶片置于该导电架组合上以及一固晶胶黏固该紫外光LED晶片于该导电架组合,反射壳体包括硅树脂模塑料及混合于硅树脂模塑料内的填充材;其中填充材的能隙(energy gap)大于4电子伏特(eV);本发明的填充材及其能隙可藉由下述公式选择,当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异小于或等于0.2时,该填充材的能隙满足公式:E≥1240(nm·eV)/(λ‑150(nm));当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异大于0.2时,该填充材的能隙满足下列公式:E≥1240(nm·eV)/(λ‑50(nm))。本发明的发光二极管封装结构制造成本更低廉,制造更为方便,可以依设定所需的波长,选择符合的填充材材料。

技术领域

本发明乃是关于一种发光二极管封装结构,特别是指一种发光二极管封装结构具有导电架组合并且配合硅树脂模塑料的反射壳体。

背景技术

发光二极管(LED,Light Emitting Diode)已经逐渐被应用作为各种光源,包括可见光LED供一般照明、以及不可见光LED供特殊照明,例如紫外光LED用于固化(Curing)、杀菌、防伪辨识…等。

针对紫外光LED,发出的光为短波段的光,能量较强,因此紫外光LED封装结构的导电架组合以及反射壳体的材料要求更为严苛,不仅影响使用寿命、也影响整体的反射率。

为着避免一般封装材料因为紫外光长期照射而劣化,所以紫外光LED封装结构通常使用陶瓷基板,甚至反射壳体也以玻璃或陶瓷制成。然而,此种材料及制造方法,不仅材料成本高,制造上也较费时。

因此紫外光LED封装,除需要可以耐UV的封装材料外,同时需兼顾如何使制造成本降低,以符合市场需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题,在于提供一种紫外光发光二极管封装结构,提供反射壳体合适的填充材于紫外光波段具有高的反射率,使此紫外光发光二极管封装结构具有好的性能表现,且具有较低的成本。

为了解决上述技术问题,根据本发明的其中一种方案,提供一种发光二极管封装结构,包括一导电架组合;一反射壳体,其结合于该导电架组合,该反射壳体围设形成一容置空间;该反射壳体包括硅树脂模塑料、及混合于该硅树脂模塑料内的填充材;一紫外光LED晶片,其置于该导电架组合上,且位于该容置空间内,以产生紫外光,该反射壳体反射该紫外光的反射率大于60%;以及一固晶胶,其黏固该紫外光LED晶片于该导电架组合;其中该填充材的能隙(energy gap)大于4电子伏特(eV);当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异小于或等于0.2时,该填充材的能隙满足下列公式:

E≥1240(nm·eV)/(λ-150(nm))

当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异大于0.2时,该填充材的能隙满足下列公式:

E≥1240(nm·eV)/(λ-50(nm));

其中1240=h×c;h为普朗克常数;c为光速;λ为上述紫外光LED晶片的波长。

依据本发明的其中一种方案,较佳的,上述发光二极管封装结构的该紫外光LED晶片所发出的紫外光波长为290至400纳米(nm),该固晶胶为不包含环氧树脂的材料,如银胶或硅胶。

依据本发明的其中一种方案,较佳的,其中该紫外光LED晶片所发出的紫外光波长为290至400纳米(nm),该固晶胶为一含环氧树脂的固晶胶,该发光二极管封装结构进一步包括包覆材,覆盖于该固晶胶的外表面。该包覆材混合有能隙(energy gap)大于4电子伏特(eV)的无机材料与一硅树脂的混合物。硅树脂,学名聚硅氧烷树脂(Silicone resin),是一种热固性的材料。

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