[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。限制了半导体器件的切换波形的振铃。例如，安置互连(L5)，其用作功率晶体管(Q3)的源极和二极管(D4)的阴极，并且还用作功率晶体管(Q4)的漏极和二极管(D3)的阳极。换句话讲，功率晶体管和与这个功率晶体管串联耦合的二极管形成在同一半导体芯片中；另外，用作功率晶体管的漏极的互连和用作二极管的阳极的互连彼此共用。这个结构使得可以减小彼此串联耦合的功率晶体管和二极管之间的寄生电感。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体芯片，在所述半导体芯片中形成以下部件：第一功率晶体管，第一二极管，所述第一二极管反并联耦合到所述第一功率晶体管，第二二极管，所述第二二极管串联耦合到所述第一功率晶体管，以及第二功率晶体管，所述第二功率晶体管串联耦合到所述第一二极管，并且还反并联耦合到所述第二二极管；其中，所述第一功率晶体管包括：第一漏极和第一源极，所述第一漏极和所述第一源极被布置成当在平面中观察时彼此分开，以及第一栅电极，所述第一栅电极进行所述第一漏极和所述第一源极之间流动的电流的通/断控制；其中，所述第二功率晶体管包括：第二漏极和第二源极，所述第二漏极和所述第二源极被布置成当在平面中观察时彼此分开，以及第二栅电极，所述第二栅电极进行所述第二漏极和所述第二源极之间流动的电流的通/断控制；其中，所述第一二极管包括：第一阴极，所述第一阴极电耦合到所述第一漏极，以及第一阳极，所述第一阳极电耦合到所述第一源极和所述第二漏极；并且其中，所述第二二极管包括：第二阴极，所述第二阴极电耦合到所述第一源极和所述第二漏极，以及第二阳极，所述第二阳极电耦合到所述第二源极。