[发明专利]可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610021323.8 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN105552241B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 李延钊;陈卓;何月娣;孙杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 彭久云,沈斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 提供一种可交联的量子点(QD)及其制备方法、一种利用该可交联的量子点(QD)制备的阵列基板及该阵列基板的制备方法。所述可交联量子点的表面具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2,或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。
搜索关键词: 交联 量子 及其 制备 方法 阵列
【主权项】:
一种可交联量子点,其中所述可交联量子点的表面具有基团对R1和R2,所述基团对R1和R2可发生反应从而形成交联网络,或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3;其中所述R1为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种;与R1对应的R2为选自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一种;所述R3为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种,所述交联剂为选自C4‑C20二烯烃或C4‑C20二炔烃中的至少一种。
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