[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底，且衬底包括：高电位区；低电位区；及隔离区，包括电位转换区以及连接区；外延层；第一导电型第一底掺杂区，设于连接区中；第一导电型第一顶掺杂区，设于连接区中，且直接接触第一导电型第一底掺杂区；至少一个第二导电型第一掺杂区，设于第一导电型第一顶掺杂区或第一导电型第一底掺杂区中；第一导电型体区；第一导电型掺杂区；源极区；漏极区；栅极电极；源极电极；及漏极电极。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一衬底，具有一第一导电型，且该衬底包括：一高电位区；一低电位区；及一隔离区，设于该高电位区与该低电位区之间，其中该隔离区包括一电位转换区以及一连接区，其中该连接区设于该电位转换区与该高电位区之间；一外延层，设于该衬底上，其中该外延层具有一第二导电型，且该第一导电型与该第二导电型不同；一第二导电型第一埋藏层，设于该高电位区中的该衬底与该外延层的一交界处，其中该第二导电型第一埋藏层具有该第二导电型；一第二导电型第二埋藏层，设于该电位转换区中的该衬底与该外延层的该交界处，其中该第二导电型第二埋藏层具有该第二导电型；一第一导电型第一底掺杂区，设于该连接区中的该衬底与该外延层的该交界处，其中该第一导电型第一底掺杂区具有该第一导电型；一第一导电型第二底掺杂区，设于该衬底与该外延层的该交界处，且该第一导电型第二底掺杂区是对应该电位转换区与该低电位区的一交界设置，且该第一导电型第二底掺杂区具有该第一导电型；一第一导电型第一顶掺杂区，设于该连接区的该外延层中，其中该第一导电型第一顶掺杂区具有该第一导电型且直接接触该第一导电型第一底掺杂区与该外延层的顶面；一第一导电型第二顶掺杂区，设于该外延层中，其中该第一导电型第二顶掺杂区是对应该电位转换区与该低电位区的一交界设置，且该第一导电型第二顶掺杂区具有该第一导电型且直接接触该第一导电型第二底掺杂区；至少一个第二导电型第一掺杂区，设于该连接区的该外延层中，其中该第二导电型第一掺杂区具有该第二导电型，且该第二导电型第一掺杂区设于该第一导电型第一顶掺杂区且该第二导电型第一掺杂区直接接触该外延层的顶面，且不接触该第一导电型第一顶掺杂区于该外延层中的边缘；一第一导电型体区，设于该电位转换区的该外延层中，其中该第一导电型体区具有该第一导电型；一第一导电型掺杂区，设于该电位转换区的该外延层中，其中该第一导电型掺杂区具有该第一导电型；一源极区，设于该第一导电型体区中；一漏极区，设于该电位转换区的该外延层中；一第二导电型第二掺杂区，设于该高电位区的该外延层中，且该第二导电型第二掺杂区具有该第二导电型；一栅极电极，设于该外延层上；一源极电极，电连接该源极区；及一漏极电极，电连接该漏极区，并自该电位转换区延伸经过该连接区至该高电位区。