[发明专利]半导体结构、形成方法以及场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610017898.2 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105513963A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 武娴;郭磊;王敬 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体结构、形成方法以及场效应晶体管。该半导体结构包括：半导体层，所述半导体层上表面的至少一部分是由氮化物半导体晶体形成的非极性面或者半极性面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述非极性面或半极性面上，并且所述绝缘层是由选自氮化物以及氮氧化物的至少之一形成的；以及金属层，所述金属层形成在绝缘层远离所述半导体层的表面上。由此，可以在非极性面或半极性面的半导体层表面形成绝缘层，进而可以有效防止半导体层表面形成不稳定的化学键，并改善界面质量，进而可以有效提高该半导体结构的界面性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 以及 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体层，所述半导体层上表面的至少一部分是由氮化物半导体晶体形成的非极性面或者半极性面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述非极性面或半极性面上，并且所述绝缘层是由选自氮化物以及氮氧化物的至少之一形成的；以及金属层，所述金属层形成在所述绝缘层远离所述半导体层的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
