[发明专利]半导体结构、形成方法以及场效应晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体层，所述半导体层上表面的至少一部分是由氮化物半导体晶体形成的非极性面 或者半极性面；

绝缘层，所述绝缘层形成在所述非极性面或半极性面上，并且所述绝缘层是由选自氮 化物以及氮氧化物的至少之一形成的；以及

金属层，所述金属层形成在所述绝缘层远离所述半导体层的表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层包括至少一个晶体 亚层，所述晶体亚层是由选自GaN晶体、InGaN晶体、AlGaN晶体以及AlN晶体中的至 少之一形成的。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层为氮化镓晶片或者 氮化铝晶片。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层为非晶态。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层是由氮化铝或氮氧化 铝形成的。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为2～100nm。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层是通过原子层沉积形 成的。

8.一种金属-绝缘体-半导体场效应晶体管，其特征在于，包含权利要求1～7任一项所 述的半导体结构。

9.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

(1)提供半导体层，所述半导体层上表面的至少一部分是由氮化物半导体晶体形成的 非极性面或者半极性面；

(2)在所述半导体层的非极性面或者半极性面设置绝缘层；以及

(3)在所述绝缘层远离所述半导体层的表面设置金属层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤(2)之前，预先对所述半导体 层进行表面处理，所述表面处理包括：

干法刻蚀或湿法腐蚀，以便除去所述半导体层表面的自然氧化物。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为以N₂为气源的等离 子体刻蚀。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀为王水腐蚀。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，利用原子层沉积技术 形成所述绝缘层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，利用所述原子层沉积技术形成所述绝 缘层时，所述半导体层温度为200-400摄氏度。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括至少一个晶体亚层， 所述晶体亚层是由选自GaN晶体、InGaN晶体、AlGaN晶体以及AlN晶体中的至少之一 形成的。

16.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体层为氮化镓晶片或者氮化 铝晶片。

17.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为非晶态。

18.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述绝缘层是由氮化铝或氮氧化铝形 成的。

19.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为2～100nm。