[发明专利]芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法及装置有效
| 申请号： | 201610014798.4 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105677593B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 廖裕民;江显舟 | 申请（专利权）人： | 福州瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林晓琴 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法和装置，写控制存储器单元输出写命令和写数据给存储器单元进行读操作,同时在写命令的一个周期后将原始写完成指示位设置为有效；所述存储器单元输出原始写完成指示位；所述原始写完成指示位分别经一级延迟一个周期和经两级延迟两个周期得到延迟一个周期后的写完成指示位和延迟两个周期后的写完成指示位；根据工作时钟频率判断的结果进行通路选择操作,将所述原始写完成指示位、所述延迟一个周期后的写完成指示位以及所述延迟两个周期后的写完成指示位这三个输入中的一路选为写完成指示位，从而实现根据运行频率自动调节时序路。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 存储器 操作 时序 路径 自适应 调节 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法，其特征在于：芯片初始化完成后开始工作并产生工作时钟；根据芯片输入的低频时钟和所述工作时钟进行工作时钟频率判断；写控制存储器单元输出写命令和写数据给存储器单元进行写操作,同时在写命令的一个工作时钟周期后将原始写完成指示位设置为有效；所述存储器单元根据收到的写命令和写数据和工作时钟,在使用工作时钟采样到写命令后,经过其电路固有的写入动作延迟时间后输出原始写完成指示位；所述原始写完成指示位分别经一级延迟一个周期和经两级延迟两个周期得到延迟一个周期后的写完成指示位和延迟两个周期后的写完成指示位；根据所述工作时钟频率判断的结果进行通路选择操作,将所述原始写完成指示位、所述延迟一个周期后的写完成指示位以及所述延迟两个周期后的写完成指示位这三个输入中的一路选为写完成指示位。
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