[发明专利]芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法及装置

说明书

本发明提供一种芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法和装置，写控制存储器单元输出写命令和写数据给存储器单元进行读操作,同时在写命令的一个周期后将原始写完成指示位设置为有效；所述存储器单元输出原始写完成指示位；所述原始写完成指示位分别经一级延迟一个周期和经两级延迟两个周期得到延迟一个周期后的写完成指示位和延迟两个周期后的写完成指示位；根据工作时钟频率判断的结果进行通路选择操作,将所述原始写完成指示位、所述延迟一个周期后的写完成指示位以及所述延迟两个周期后的写完成指示位这三个输入中的一路选为写完成指示位，从而实现根据运行频率自动调节时序路。

技术领域

本发明涉及一种芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法及装置。

背景技术

随着SOC芯片技术的发展,用户对芯片性能要求越来越高,由于芯片的运行频率直接影响到性能,所以芯片的主频越跑越高。同时由于SRAM存储电路的复杂性,而且在功能上是要求收到命令的下一个时钟节拍就完成操作,所以在芯片频率快速提升的时候,SRAM的写速度就明显的成为了限制芯片频率的关键路径。目前的时序路径是从SRAM的命令采集到SRAM内部取数并输出到SRAM端口再到发出命令的单元完成数据采样(特别在总线上挂载的模块多的时候,SRAM返回命令发起端的数据路径会非常的长从而造成很大的延时)。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种根据运行频率自动调节时序路径的SRAM写速度的方法和装置，在低频时采用原始的SRAM时序路径,在运行频率超过SRAM的最高频率时,采用自动延迟SRAM的写完成有效指示位的时间,大幅提高SRAM的最高运行频率。

本发明方法是这样实现的：一种芯片存储器写操作时序路径自适应调节方法，包括下述步骤：芯片初始化完成后开始工作并产生工作时钟；根据芯片输入的低频时钟和所述工作时钟进行工作时钟频率判断；所述写控制存储器单元输出写命令和写数据给存储器单元进行写操作,同时在写命令的一个工作时钟周期后将原始写完成指示位设置为有效；所述存储器单元根据收到的写命令和写数据和工作时钟,在使用工作时钟采样到写命令后,经过其电路固有的写入动作延迟时间后输出原始写完成指示位；所述原始写完成指示位分别经一级延迟一个周期和经两级延迟两个周期得到延迟一个周期后的写完成指示位和延迟两个周期后的写完成指示位；根据所述工作时钟频率判断的结果进行通路选择操作,将所述原始写完成指示位、所述延迟一个周期后的写完成指示位以及所述延迟两个周期后的写完成指示位这三个输入中的一路选为写完成指示位。

进一步的，所述工作时钟频率判断的具体过程是：

对工作时钟进行计数；使用低频时钟对所述计数所得的实时计数值进行采样,并将每次采样值对前一次的采样值做减法操作,得到差值；该差值就代表每个低频时钟周期内有多少个工作时钟周期；得到每个低频时钟周期内有多少个工作时钟周期值后,读取芯片初始化时预存的档位门阀值,该档位门阀值包括延迟一周期门阀值和延迟两个周期门阀值；将档位门阀值与低频时钟周期内的工作时钟周期值进行比较,判断工作时钟周期落入哪个区间；如果低频时钟周期内的工作时钟周期值比所述延迟一周期门阀值小，则说明工作时钟周期比较慢，不需要进行延迟处理；如果低频时钟周期内的工作时钟周期值比所述延迟一周期门阀值大，但是小于所述延迟两个周期门阀值，则所述存储器单元需要进行延迟一周期处理；如果低频时钟周期内的工作时钟周期值比延迟两个周期门阀值大，则存储器单元需要进行延迟两个周期处理；所述判断的判断结果作为所述通路选择操作的根据。

本发明装置是这样实现的：一种芯片存储器写操作时序路径自适应调节装置，包括时钟产生单元、频率监控判断单元、存储器单元、写控制器单元、第一级写完成缓存寄存器单元、第二级写完成缓存寄存器单元以及通路选择器单元；所述时钟产生单元分别与所述频率监控判断单元、存储器单元、写控制器单元以及第一级写完成缓存寄存器单元连接；所述写控制器单元通过所述存储器单元依次与第一级写完成缓存寄存器单元、第二级写完成缓存寄存器单元连接；所述频率监控判断单元、存储器单元、第一级写完成缓存寄存器单元以及第二级写完成缓存寄存器单元还直接连接所述通路选择器单元；