[发明专利]一种硫化亚锡纳米片的制备方法及基于其制备的光电探测器在审
申请号: | 201610013223.0 | 申请日: | 2016-01-07 |
公开(公告)号: | CN105551946A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 鹿方园;王晓亭;陈颖;陈新;李京波 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H01L31/00;H01L31/09;H01L31/032;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 张文 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种硫化亚锡纳米片的制备方法及基于其制备的光电探测器,该制备方法包括如下步骤:将硫化亚锡粉末置于干净的石英舟中,将清洗干净的SiO2/Si基底水平放置在石英舟的正上方。然后将石英舟放置在石英管加热区的中间位置,封闭石英管;向石英管中通入惰性气体并持续10-30min以便将石英管中的空气排净;将石英管加热升至700-750℃;升温过程中调小惰性气体的气流量;将石英管在温度为700-720℃的高温区保温6-12min,然后让其自然降温;待石英管自然降温到560-600℃后,将石英管整体推出管式炉外迅速降温;待石英管温度降至室温时,打开石英管取出样品,样品制备完成。通过上述方式,本发明能够利用简单的物理气相沉积方法制备了高质量的硫化亚锡纳米片。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化 纳米 制备 方法 基于 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种硫化亚锡纳米片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:步骤1、将硫化亚锡粉末置于干净的石英舟中,将清洗干净的SiO2/Si基底水平放置在石英舟的正上方。然后将石英舟放置在石英管加热区的中间位置,封闭石英管;步骤2、向石英管中通入惰性气体并持续10‑30min以便将石英管中的空气排净;步骤3、将石英管加热升至700‑750℃;升温过程中调小惰性气体的气流量;步骤4、将石英管在温度为700‑720℃的高温区保温6‑12min,然后让其自然降温;步骤5、待石英管自然降温到560‑600℃后,将石英管整体推出管式炉外迅速降温;步骤6、待石英管温度降至室温时,打开石英管取出样品,样品制备完成,得到硫化亚锡纳米片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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