[发明专利]一种硫化亚锡纳米片的制备方法及基于其制备的光电探测器

权利要求书

1.一种硫化亚锡纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下 步骤：

步骤1、将硫化亚锡粉末置于干净的石英舟中，将清洗干净的SiO₂/Si基底 水平放置在石英舟的正上方。然后将石英舟放置在石英管加热区的中间位置，封 闭石英管；

步骤2、向石英管中通入惰性气体并持续10-30min以便将石英管中的空气 排净；

步骤3、将石英管加热升至700-750℃；升温过程中调小惰性气体的气流量；

步骤4、将石英管在温度为700-720℃的高温区保温6-12min，然后让其自 然降温；

步骤5、待石英管自然降温到560-600℃后，将石英管整体推出管式炉外迅 速降温；

步骤6、待石英管温度降至室温时，打开石英管取出样品，样品制备完成， 得到硫化亚锡纳米片。

2.根据权利要求1所述的硫化亚锡纳米片的制备方法，其特征在于，步骤 1中所述SiO₂/Si基底的清洗操作是：首先将SiO₂/Si基底在H₂SO₄：H₂O₂按3:(1-1.5) 的比例配成的混合液中浸泡1-2h，然后用去离子水、丙酮、酒精、去离子水依 次超声清洗，最终获得干净的SiO₂/Si基底。

3.根据权利要求1所述的硫化亚锡纳米片的制备方法，其特征在于，步骤 2中通入的惰性气体的流量在270-300sccm之间。

4.根据权利要求1所述的硫化亚锡纳米片的制备方法，其特征在于，步骤 3中所述的升温过程中调小惰性气体的气流量，具体操作是：当石英管加热至 380-400℃时，将气流量调小至18-22sccm；当石英管加热至580-610℃时，将气 流量调小至4-6sccm。

5.根据权利要求1-4中任一所述的硫化亚锡纳米片的制备方法，其特征在 于，步骤2中通入的惰性气体为氩气或者氮气。

6.一种根据权利要求1-5中任一所述的硫化亚锡纳米片制备的光电器件， 其特征在于，将硫化亚锡纳米片利用光刻等技术制备成光电器件，并利用CHI 660D电化学工作站等测试光电器件对红外光的光响应。