[发明专利]具有高温稳定基板界面材料的异质外延结构

摘要

描述了包括从设置在晶体基板之上的沟槽层中的一个或多个沟槽延伸出来的高架晶体结构的晶体异质结构。在一些实施例中，界面层设置在硅基板表面之上。所述界面层便于在一定的生长温度下从沟槽底部生长高架结构，否则所述生长温度可能使基板表面劣化并且在所述高架结构中引发更多缺陷。所述沟槽层可以设置在所述界面层之上，其中，沟槽底部使所述界面层的一部分暴露。可以从沟槽过生长具有低缺陷密度表面的任意大的合并晶体结构。诸如III‑N晶体管的器件可以被进一步形成在升高晶体结构上，而基于硅的器件(例如，晶体管)可以形成在硅基板的其它区域中。

主权项

一种晶体异质结构，包括：具有第一结晶度的基板；设置在所述基板之上的沟槽材料；设置在所述沟槽材料中的一个或多个沟槽中的具有第二结晶度的高架结构；以及设置在所述沟槽的底部、在所述高架结构和所述基板之间的界面材料，其中，所述界面材料包括下述选项的至少其中之一：设置在所述沟槽材料和所述基板之间的中间层；或者设置在所述高架结构和所述沟槽材料之间的中间层。