[发明专利]具有子鳍状物层的晶体管有效
| 申请号： | 201580079932.2 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107636834B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;M·V·(M)·梅茨;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;G·杜威;J·T·卡瓦列罗斯;A·阿格拉瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将子鳍状物层沉积在衬底上的绝缘层中的沟槽中。将鳍状物沉积在子鳍状物层上。鳍状物具有顶部部分和相对侧壁。鳍状物包括第一半导体材料。子鳍状物层包括III‑V族半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 子鳍状物层 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：子鳍状物层，所述子鳍状物层在衬底上；鳍状物，所述鳍状物在所述子鳍状物层上，所述鳍状物包括顶部部分和相对侧壁，所述鳍状物包括第一半导体材料，并且所述子鳍状物层包括III‑V族半导体材料。
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