[发明专利]用于存储器模块的动态随机存取存储器(DRAM)部件有效
| 申请号： | 201580069434.X | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107111566B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | F·A·韦尔;E·特塞恩;J·E·林斯塔特;T·J·乔瓦尼尼;K·L·赖特 | 申请（专利权）人： | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号： | G06F13/00 | 分类号： | G06F13/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;姚杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的实施例描述了用于高性能、大容量带寄存器的存储器模块(诸如带寄存器的双列直插式存储器模块(RDIMM))的动态随机存取存储器(DRAM)部件的技术。一个DRAM部件可以包括存储器单元集合和引导逻辑。引导逻辑可以包括第一数据接口和第二数据接口。第一数据接口和第二数据接口以第一模式选择性地耦合到控制器部件，并且第一数据接口以第二模式选择性地耦合到控制器部件，并且第二数据接口以第二模式选择性地耦合到第二DRAM部件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 模块 动态 随机存取存储器 dram 部件 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器(DRAM)部件，包括：存储器单元集合；以及引导逻辑，被耦合到所述存储器单元集合，其中所述引导逻辑包括：第一数据接口；以及第二数据接口，其中在第一模式中所述第一数据接口和所述第二数据接口被选择性地耦合到控制器部件，并且其中，在第二模式中，所述第一数据接口被选择性地耦合到所述控制器部件，并且所述第二数据接口被选择性地耦合到第二DRAM部件。
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