[发明专利]FinFET的掺杂方法有效
| 申请号： | 201580062264.2 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107112239B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 洪俊华;吴汉明;陈炯;张劲 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底（20）和位于衬底上平行间隔设置的Fin（200），每根Fin包括顶面、第一侧壁和第二侧壁，该掺杂方法包括以下步骤：T1、在Fin的顶面、第一侧壁和第二侧壁中形成掺杂层；T2、将衬底元素沿着该衬底（20）的法线方向注入至Fin的顶面中以减小顶面中掺杂元素的浓度。通过较长时间的离子注入实现注入的饱和，并在侧壁完成注入之后增加一道衬底元素注入的工艺，最终实现Fin的均匀掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
