[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580052617.0 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN106796955B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 菅原胜俊;香川泰宏;田中梨菜;福井裕 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 特征在于具备：第2导电类型的基极区域(3)，形成在第1导电类型的漂移层(2a)上；第1导电类型的源极区域(4)，位于基极区域(3)内；沟槽(5)，贯通基极区域(3)和源极区域(4)，在俯视时划分单元区域(14)；第2导电类型的保护扩散层(7)，配设于沟槽(5)的底部；栅极电极(8)，隔着栅极绝缘膜(6)埋入到沟槽(5)内；源极电极(10)，与源极区域(4)电连接；以及保护接触区域(15)，配设于3个以上的单元区域(14)的位置，连接保护扩散层(7)和源极电极(10)，保护接触区域(15)被配设成使以处于最近的距离的3个保护接触区域(15)的中心为顶点的三角形(18)成为锐角三角形，保护扩散层在遍及包括单元区域以及保护接触区域的半导体区域的整个区域而配设于沟槽的底部，单元区域与保护接触区域在俯视时具有相同的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；第1导电类型的漂移层，设置在所述基板上；第2导电类型的基极区域，形成在所述漂移层上；第1导电类型的源极区域，位于所述基极区域内；沟槽，贯通所述基极区域和所述源极区域，在俯视时划分单元区域；第2导电类型的保护扩散层，在所述漂移层内配设于所述沟槽的底部；栅极绝缘膜，形成于所述沟槽的内壁；栅极电极，隔着所述栅极绝缘膜埋入到所述沟槽内；源极电极，与所述源极区域电连接；以及保护接触区域，配设于3个以上的所述单元区域的位置，连接所述保护扩散层和所述源极电极，所述保护接触区域被配设成以使处于最近的距离的3个所述保护接触区域的中心为顶点的三角形成为锐角三角形。
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