[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板；

第1导电类型的漂移层，设置在所述基板上；

第2导电类型的基极区域，形成在所述漂移层上；

第1导电类型的源极区域，位于所述基极区域内；

沟槽，贯通所述基极区域和所述源极区域，在俯视时划分单元区域；

第2导电类型的保护扩散层，在所述漂移层内配设于所述沟槽的底部；

栅极绝缘膜，形成于所述沟槽的内壁；

栅极电极，隔着所述栅极绝缘膜埋入到所述沟槽内；

源极电极，与所述源极区域电连接；以及

保护接触区域，配设于3个以上的所述单元区域的位置，连接所述保护扩散层和所述源极电极，

所述保护接触区域被配设成以使处于最近的距离的3个所述保护接触区域的中心为顶点的三角形成为锐角三角形，

所述保护扩散层在遍及包括所述单元区域以及所述保护接触区域的半导体区域的整个区域而配设于所述沟槽的底部，

所述单元区域与所述保护接触区域在俯视时具有相同的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述沟槽被形成为使得按照格子状来配置所述单元区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述沟槽被形成为使得按照交错配置来配置所述单元区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述沟槽被形成为使得按照梳形来配置所述单元区域。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护扩散层包含3×10¹⁷cm^-3以上且1×10¹⁸cm^-3以下的浓度范围的第2导电类型的杂质。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护接触区域具有达至所述保护扩散层的深度的槽部。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护接触区域经由欧姆电极而连接所述保护扩散层和所述源极电极，

在所述保护接触区域，所述保护扩散层在与所述欧姆电极相接的区域具备第2导电类型的杂质浓度为5×10¹⁸cm^-3以上且1×10²¹cm^-3以下的高浓度区域。

8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述单元区域在以所述保护接触区域为中心且具有所述单元区域的宽度的1倍以上且3倍以下的半径的圆的外侧，具备沟道电阻比所述圆内的沟道电阻大的非活性化沟道。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

在所述非活性化沟道，所述沟槽的侧面整个面隔着所述栅极绝缘膜而与所述基极区域对置。

10.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是宽带隙半导体。

11.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是碳化硅。