[发明专利]化合物半导体场效应晶体管

摘要

在俯视图中栅极电极连接配线(85)定义大致矩形的区域(30)，该区域(30)包括栅极电极(13)的全部且具有长边和短边，将该栅极电极连接配线(85)与栅极电极焊盘(87)连接的上述栅极电极连接配线(85)中的连接部(88)位于上述大致矩形的上述区域(30)的上述长边侧。

主权项

一种化合物半导体场效应晶体管，其特在在于，包括：在半导体层上以在第一方向上延伸的方式形成的漏极电极；在所述半导体层上以在所述第一方向上延伸的方式形成，并且相对于所述漏极电极在与所述第一方向交叉的第二方向上隔开预先设定的间隔形成的源极电极；在所述第一方向上延伸，并且在俯视时形成于所述漏极电极与所述源极电极之间的栅极电极；具有与所述栅极电极的所述第一方向上的两端部连接的相对部，并且在俯视时定义大致矩形的区域的栅极电极连接配线，该大致矩形的区域包括所述栅极电极的全部且具有长边和短边；在所述半导体层上以覆盖所述栅极电极的方式形成的绝缘层；和形成在所述绝缘层上，并且与所述栅极电极连接配线连接的栅极电极焊盘，由所述漏极电极、所述栅极电极和所述栅极电极连接配线的一部分构成的栅极指与所述源极电极一起配置有多个，具有包括多个所述栅极指的栅极指组，将所述栅极电极连接配线和所述栅极电极焊盘连接的所述栅极电极连接配线中的连接部，位于所述大致矩形的所述区域的所述长边侧。