[发明专利]用于三维集成电路(3DIC)集成的晶片转移的微机电系统(MEMS)接合释放结构及方法在审
| 申请号： | 201580048185.6 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106688077A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 杰雄·杰弗里·蓝;张文钺;杜杨;李永聚;古锡昆;谢静 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/683;H01L21/762;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/00;H01L25/065;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于制造具有两个或多于两个层的三维集成电路3D IC装置的微机电系统MEMS接合释放结构。所述MEMS接合释放结构包含可具有支柱或柱子结构的MEMS牺牲释放层，或替代地，用于接合及释放的连续牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维集成电路 dic 集成 晶片 转移 微机 系统 mems 接合 释放 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统MEMS接合释放结构，其包括：载体晶片；所述载体晶片上的MEMS牺牲释放层；所述MEMS牺牲释放层上的半导体氧化物层；及所述半导体氧化物层上的有源半导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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