[发明专利]半导体制造腔室用烟雾去除装置有效

专利信息
申请号: 201580047749.4 申请日: 2015-01-09
公开(公告)号: CN106796868B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 金泰和 申请(专利权)人: 金泰和
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 代理人: 郑青松
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开一种半导体制造腔室用烟雾去除装置。公开的所述半导体制造腔室用烟雾去除装置,其特征在于,包括:烟雾排气管、烟雾排气管开闭阀、真空泵、以及控制部件,所述控制部件可打开所述烟雾排气管开闭阀,从而打开所述烟雾排气管并运转所述真空泵,以使得所述烟雾排气管内形成真空,所述半导体制造腔室内的烟雾沿所述烟雾排气管流入,而向外部排出。如果根据公开的半导体制造腔室用烟雾去除装置,可以在半导体制造腔室内迅速并简便以及可靠地去除烟雾,由此,具有需要接近半导体制造腔室内部的操作者可以不接触烟雾的同时安全地执行作业的优点。
搜索关键词: 半导体 制造 腔室用 烟雾 去除 装置
【主权项】:
1.一种半导体制造腔室用烟雾去除装置,其特征在于,包括:涡轮泵,在工序进行时,能够使所述半导体制造腔室内形成真空;排出管,与所述涡轮泵连接从而将空气向外部排出;旁路管,连接在所述半导体控制腔室,从而连通所述半导体控制腔室,并且区别于所述排出管;ISO阀,连接所述排出管和所述旁路管;初级阀,设置在所述旁路管的上端,能够使所述半导体制造腔室内形成初期真空;烟雾排气管,与所述半导体制造腔室连通以在半导体制造腔室内形成初始真空,并且具有从设置所述初级阀的旁路管延长并与所述旁路管连通的形状;烟雾排气管开闭阀,设置于所述烟雾排气管上,以开闭所述烟雾排气管;真空泵,连接于所述烟雾排气管,以在所述烟雾排气管中形成真空;及控制部件,控制所述烟雾排气管开闭阀和所述真空泵的运转;当需要去除所述半导体制造腔室内的烟雾时,所述控制部件打开所述烟雾排气管开闭阀,以打开所述烟雾排气管并运转所述真空泵,从而在所述烟雾排气管内形成真空,以使得所述半导体制造腔室内的烟雾沿所述烟雾排气管流入而向外部排出。
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