[发明专利]半导体制造腔室用烟雾去除装置有效
申请号: | 201580047749.4 | 申请日: | 2015-01-09 |
公开(公告)号: | CN106796868B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 金泰和 | 申请(专利权)人: | 金泰和 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种半导体制造腔室用烟雾去除装置。公开的所述半导体制造腔室用烟雾去除装置,其特征在于,包括:烟雾排气管、烟雾排气管开闭阀、真空泵、以及控制部件,所述控制部件可打开所述烟雾排气管开闭阀,从而打开所述烟雾排气管并运转所述真空泵,以使得所述烟雾排气管内形成真空,所述半导体制造腔室内的烟雾沿所述烟雾排气管流入,而向外部排出。如果根据公开的半导体制造腔室用烟雾去除装置,可以在半导体制造腔室内迅速并简便以及可靠地去除烟雾,由此,具有需要接近半导体制造腔室内部的操作者可以不接触烟雾的同时安全地执行作业的优点。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 腔室用 烟雾 去除 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造腔室用烟雾去除装置,其特征在于,包括:涡轮泵,在工序进行时,能够使所述半导体制造腔室内形成真空;排出管,与所述涡轮泵连接从而将空气向外部排出;旁路管,连接在所述半导体控制腔室,从而连通所述半导体控制腔室,并且区别于所述排出管;ISO阀,连接所述排出管和所述旁路管;初级阀,设置在所述旁路管的上端,能够使所述半导体制造腔室内形成初期真空;烟雾排气管,与所述半导体制造腔室连通以在半导体制造腔室内形成初始真空,并且具有从设置所述初级阀的旁路管延长并与所述旁路管连通的形状;烟雾排气管开闭阀,设置于所述烟雾排气管上,以开闭所述烟雾排气管;真空泵,连接于所述烟雾排气管,以在所述烟雾排气管中形成真空;及控制部件,控制所述烟雾排气管开闭阀和所述真空泵的运转;当需要去除所述半导体制造腔室内的烟雾时,所述控制部件打开所述烟雾排气管开闭阀,以打开所述烟雾排气管并运转所述真空泵,从而在所述烟雾排气管内形成真空,以使得所述半导体制造腔室内的烟雾沿所述烟雾排气管流入而向外部排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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