[发明专利]氮化铝单结晶基板的洗净方法及层叠体有效
| 申请号： | 201580047184.X | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN106605291B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 有行正男 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;C30B33/10;H01L21/205 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供不会使氮化铝单结晶基板表面被蚀刻，而有效地去除存在于该基板表面尺寸1μm以下的细微异物的方法。本发明的解决手段是使用选自由氢氧化钾及氢氧化钠所组成的群的碱的浓度为0.01～1质量％的碱性水溶液，及硬度较氮化铝单结晶低的高分子化合物材料，以高分子化合物材料吸收该碱性水溶液的状态，对氮化铝单结晶基板表面进行擦刷洗净。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 结晶 洗净 方法 层叠 | ||
【主权项】：
一种氮化铝单结晶基板的洗净方法，其包括将氮化铝单结晶基板的表面，使用硬度较氮化铝单结晶低且吸收碱性水溶液的高分子化合物材料，在上述高分子化合物材料接触上述基板表面的状态，在上述基板的表面的平行方向移动擦拭的擦刷洗净步骤，该碱性水溶液为选自由氢氧化钾及氢氧化钠所组成的群且碱的浓度为0.01～1质量％的碱性水溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社德山，未经株式会社德山许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580047184.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用闪光灯的退火方法
- 下一篇：等离子体处理方法和等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
