[发明专利]用于制造导电多衬底堆叠的方法在审
| 申请号： | 201580045190.1 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106796932A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | T.马蒂亚斯 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L31/043 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 卢江,刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于由一个尤其是波长敏感的半导体衬底（2）和至少一个另外的尤其是波长敏感的半导体衬底（2'，2''）制造多衬底堆叠的方法，具有以下步骤将至少分段地导电的介电层（3，3'）施加到所述半导体衬底（2，2'，2''）中的至少一个半导体衬底的至少一个衬底表面（2o，2o'，2o''，2u，2u'，2u''）上；以及将该半导体衬底（2）与所述另外的半导体衬底（2'，2''）接触并且构造所述半导体衬底（2，2'，2''）之间的导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 导电 衬底 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
一种用于由一个波长敏感的半导体衬底（2）和至少一个另外的波长敏感的半导体衬底（2'，2''）制造多衬底堆叠的方法，具有以下步骤：‑将至少分段地导电的介电层（3，3'）施加到所述半导体衬底（2，2'，2''）中的至少一个半导体衬底的至少一个衬底表面（2o，2o'，2o''，2u，2u'，2u''）上；以及‑将该半导体衬底（2）与所述另外的半导体衬底（2'，2''）接触并且构造所述半导体衬底（2，2'，2''）之间的导电连接。
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