[发明专利]硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆

摘要

一种精抛光方法，包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光，抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95％的粒径予以设为D₁，并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95％的粒径予以设为D₂之时，D₁/D₂在1.5以上且2.5以下，以及抛光布的使用，为将抛光布风干后进行干燥，且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此，提供了一种硅晶圆的精抛光方法，由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级，在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。

主权项

1.一种硅晶圆的精抛光方法，对贴附于平板的抛光布供给抛光剂的同时，借由使硅晶圆滑动接触于该抛光布而进行精抛光，其特征在于：该抛光剂，含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，该硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，该羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于该抛光剂中的粒子借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D₁，并且将该硅酸胶分散在水中而使得与该抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的分散在水中的硅酸胶在借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D₂之时，D₁/D₂在1.5以上且2.5以下；以及该抛光布的使用，为将该抛光布风干后进行干燥，在该抛光布上滴下纯水，该滴下后经过100秒后的该纯水与该抛光布之间的接触角在60°以上。