[发明专利]半导体基板表面的有机物污染评价方法及其应用有效
| 申请号： | 201580034491.4 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106663644B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 福岛伸弥;江里口和隆 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种形态涉及一种半导体基板表面的有机物污染评价方法，该方法包括：在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息；根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 有机物 污染 评价 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板表面的有机物污染评价方法，包括：在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息，该评价对象半导体基板在制造时、保管时、或者制造和保管时被配置于包含有机物污染发生原因的装置内；和使用所获得的光致发光强度信息，基于以下判定标准对评价项目进行评价：将光致发光强度弱的被观察部位判定为发生表面有机物付着的部位，光致发光强度越弱则判定为该部位的有机物付着量越多；该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的程度和面内分布所组成的群。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580034491.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三七种子脱皮装置
- 下一篇：一种三七种子清洗消毒装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
