[发明专利]半导体基板表面的有机物污染评价方法及其应用

权利要求书

1.一种半导体基板表面的有机物污染评价方法，包括：

在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息，该评价对象半导体基板在制造时、保管时、或者制造和保管时被配置于包含有机物污染发生原因的装置内；和

使用所获得的光致发光强度信息，基于以下判定标准对评价项目进行评价：将光致发光强度弱的被观察部位判定为发生表面有机物付着的部位，光致发光强度越弱则判定为该部位的有机物付着量越多；该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的程度和面内分布所组成的群。

2.根据权利要求1记载的半导体基板表面的有机物污染评价方法，其中，所述光致发光强度信息包含评价对象半导体基板表面中的光致发光强度的面内分布信息。

3.根据权利要求1或2记载的有机物污染的评价方法，还包括：至少对有机物污染的面内分布进行评价，根据所获得的评价结果来推定表面有机物污染的发生原因。

4.根据权利要求1或2记载的有机物污染的评价方法，所述半导体基板为p型半导体基板。

5.一种在制造或保管时配置有半导体基板的装置的评价方法，所述装置包含有机物污染的发生原因，所述装置的评价方法包括：

在配置于所述装置的半导体基板表面获得光致发光强度信息；和

使用所获得的光致发光强度信息，基于以下判定标准对由所述装置造成的半导体基板表面的有机物污染的发生的程度进行评价：将光致发光强度弱的被观察部位判定为发生表面有机物付着的部位；光致发光强度越弱则判定为该部位的有机物付着量越多。

6.根据权利要求5记载的装置的评价方法，所述光致发光强度信息包含被配置于所述装置的半导体基板表面的光致发光强度的面内分布信息。

7.根据权利要求6记载的装置的评价方法，还包括：根据所述光致发光强度的面内分布信息，推定因所述装置而造成的半导体基板表面的有机物污染的发生原因。

8.根据权利要求5～7中任一项记载的装置的评价方法，所述装置为半导体基板的收容容器。

9.一种半导体基板的制造方法，包括：

由多个半导体基板组成的半导体基板的组的准备工序；

从所述组抽出至少一个半导体基板的工序；

对所述被抽出的半导体基板进行评价的工序；和以下工序中的至少一个：

将从经过所述评价被判定合格品的半导体基板及与该半导体基板同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择的至少一个半导体基板作为成品基板出厂，或者，对从经所述评价被判定为不合格品的半导体基板及与该半导体基板同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择的至少一个半导体基板实施清洗处理，在表面有机物污染降低后再作为成品基板出厂；

在所述准备工序中，所述多个半导体基板被配置于包含有机物污染发生原因的装置内；

利用权利要求1～4中任一项记载的方法对被抽出的半导体基板进行评价。

10.一种半导体基板表面的有机物污染的评价装置，包含：

测定部，在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息；和

评价部，根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。