[发明专利]化合物-半导体光伏电池及化合物-半导体光伏电池的制造方法有效
| 申请号： | 201580032429.1 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106663714B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤俊一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王增强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物‑半导体光伏电池包括由晶格匹配于GaAs或Ge的第一化合物‑半导体材料制成的第一光电转换电池；第一隧道结层，其布置在光入射方向上比第一光电转换电池更远的深侧上，并包括第一p‑型(Al | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物-半导体光伏电池，包括：/n第一光电转换电池，该第一光电转换电池由晶格匹配于砷化镓(GaAs)或锗(Ge)的第一化合物-半导体材料制成；/n第一隧道结层，该第一隧道结层被布置在光入射方向上比所述第一光电转换电池更远的深侧上并包括第一正型(p型)铝镓铟砷化物((Al
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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