专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]旋转角度检测装置及其使用的角度传感器单元-CN201610601232.1有效
  • 佐藤俊一 - 法雷奥日本株式会社
  • 2016-07-27 - 2020-09-29 - G01B7/30
  • 一种磁方式的旋转角度检测装置,废除使永久磁铁旋转的结构。在轴(2)形成平面部(3),角度传感器单元(10)使永久磁铁(11)的磁极面与平面部(3)平行地对置,并使相对于通过轴的旋转轴(Cs)的永久磁铁的基准线而线对称地配置的一对第一轭(18)从永久磁铁的下表面突出,与该下端面隔开间隙使第二轭(20)对置,形成通过轴的磁感线路径。使磁感应部位于间隙中的与第一轭(18)分别对应的检测点的霍尔IC(24)检测与旋转轴(Cs)平行的磁通密度(Bz1、Bz2)和与旋转轴(Cs)及基准线垂直的方向的磁通密度(By1、By2),基于这些磁通密度运算轴的旋转角度。由于不具有将轴的旋转传递至永久磁铁(11)的部件,因此,可得到较高的检测精度。
  • 旋转角度检测装置及其使用传感器单元
  • [发明专利]化合物半导体光伏电池和其制造方法-CN201480025224.6有效
  • 佐藤俊一 - 株式会社理光
  • 2014-03-12 - 2018-04-20 - H01L31/0687
  • 化合物半导体光伏电池包括化合物半导体基底;一个或多个第一光电转换单元,其沉积在所述化合物半导体基底上;结合层,其沉积在所述一个或多个第一光电转换单元上;和一个或多个第二光电转换单元,其经由所述结合层结合至所述一个或多个第一光电转换单元,且设置在所述一个或多个第一光电转换单元在光入射方向上的光入射侧上。进一步地,第一和第二光电转换单元的带隙随着所述第一和第二光电转换单元在光入射方向上从光入射侧向背侧接近而降低,以及当存在一个第二光电转换单元时,所述结合层的带隙大于或等于所述第二光电转换单元的带隙。
  • 化合物半导体电池制造方法
  • [发明专利]颗粒物浓度检测方法-CN201610248232.8在审
  • 陈威;佐藤俊一;冯立辉;黄艺贤 - 夏普株式会社
  • 2016-04-20 - 2017-10-31 - G01N15/06
  • 本发明涉及颗粒物浓度检测方法,包括使光照射到包含已知浓度的至少一种颗粒物的参考气体上,产生光散射效应,并使用光检测器检测所述光在至少一个光散射角度上的散射强度,作为所述至少一种颗粒物的参考值;使相同强度的光照射到包含浓度未知的所述至少一种颗粒物的待测气体上,并且所述光检测器检测所述光在所述至少一个光散射角度上的散射强度,作为所述至少一种颗粒物的测量值;以及根据颗粒物散射原理,基于所述参考值和所述测量值,计算所述至少一种颗粒物的浓度。根据本发明的颗粒物浓度检测方法的成本较低,且能够迅速地检测颗粒物浓度。
  • 颗粒浓度检测方法
  • [发明专利]复合光伏电池-CN201410541385.2有效
  • 佐藤俊一;西山伸彦 - 株式会社理光
  • 2014-07-30 - 2017-06-20 - H01L31/06
  • 一种复合光伏电池,包括第一衬底;由第一复合半导体材料制成并形成在第一衬底上的一个或多个第一光电转换单元;形成在一个或多个第一光电转换单元上的隧道结层;以及一个或多个第二光电转换单元,由与第一衬底的材料晶格失配的第二复合半导体材料制成,经隧道结层连接到一个或多个第一光电转换单元,并相对于一个或多个第一光电转换单元而位于光入射方向中的入射侧。一个或多个第一光电转换单元和一个或多个第二光电转换单元的带隙在光入射方向上从入射侧到背侧变小。隧道结层包括位于入射侧的p型层和位于背侧的n型层,该p型层是p+型(Al)GaInAs层,该n型层是n+型InP层,相对于InP层具有拉伸应变的n+型GaInP层,或相对于InP具有拉伸应变的n+型Ga(In)PSb层。
  • 复合电池
  • [发明专利]接近传感器-CN201280032609.6有效
  • 佐藤俊一 - 法雷奥日本株式会社
  • 2012-06-22 - 2016-11-16 - G01B7/00
  • 本发明提供不受磁铁的差别的影响的高精度的接近传感器。在作为稀土类粘结磁铁的磁铁(10)的注射成形时,在N、S的磁极面间的中间嵌入成形第一磁轭,使第一磁轭的突出部(22)从与磁极面(12)垂直的壁面突出。使第二磁轭(30)的突起部(32)与突出部(22)对置而使主体部(31)与磁铁(10)的壁面平行配置,在突出部(22)与突起部(32)间的空间配置将连结该突出部和突起部的方向设为磁感应方向的霍尔IC(40)。当被检测部件(50)远离磁极面(12)时磁通横穿磁感应方向,但若被检测部件(50)向磁极面(12)接近则在突起部(32)与突出部(22)间沿磁感应方向流动磁通,从而霍尔IC(40)高灵敏度地检测磁通密度的变化。由于仅具备一个磁铁(10),所以不会受到多个磁铁每个的差别、安装的差别的负面影响。
  • 接近传感器
  • [发明专利]检测微小颗粒物的浓度的方法和传感器-CN201410776278.8在审
  • 佐藤俊一;刘宇 - 夏普株式会社
  • 2014-12-15 - 2016-07-20 - G01N15/06
  • 本发明提供了一种传感器,包括:感测单元,包括贯穿感测单元的空气通道,并被配置为感测所述空气通道内的空气样本中的颗粒物的浓度;转动机构,与所述感测单元固定连接,能够使所述感测单元转动;以及控制器,用于控制所述感测单元和所述转动机构。所述控制器被配置为:控制所述转动机构使所述感测单元以预定转速转动预定时间,使得空气动力学当量直径等于或小于预定值的微小颗粒物与更大的颗粒物分离;控制所述感测单元感测空气样本中的颗粒物的浓度,作为空气样本中的微小颗粒物的浓度。
  • 检测微小颗粒浓度方法传感器
  • [发明专利]表面发射激光器装置和原子振荡器-CN201310471812.X有效
  • 铃木亮一郎;佐藤俊一 - 株式会社理光
  • 2013-07-23 - 2014-02-12 - H01S5/183
  • 表面发射激光器装置和原子振荡器。该激光器装置包括基板(101)、下部反射器(102)、有源层(104)、上部反射器(106,113)和配置为发光的表面发射激光器(11-14)。第二相调整层(108)、接触层(109)、第一相调整层(111)和波长调整层(112)从有源层侧依次层叠。从第二相调整层(108)的有源层侧到波长调整层(112)中部的总光学厚度约为(2N+1)×λ/4,λ代表光波长,N代表正整数。从第二相调整层(108)的有源层侧至接触层(109)中部的光学厚度约为Nλ/2。表面发射激光器(11-14)的至少两个具有设置在不同厚度的波长调整层(112),并且配置为发射不同波长的光。
  • 表面发射激光器装置原子振荡器
  • [发明专利]激光指示器和光输入设备-CN201210164555.0无效
  • 佐藤俊一;张彤;刘宇 - 夏普株式会社
  • 2012-05-25 - 2013-12-04 - G02B27/20
  • 本发明提供了一种激光指示器,包括:至少两个光源,用于分别发出至少第一波长的光和第二波长的光;以及输出单元,用于交替地输出所述第一波长的光和所述第二波长的光。根据本发明,可以通过单个激光指示器,实现通过改变光输入面板上的光敏材料的光学特性来进行输入、并能够使其光敏材料恢复初始吸收特性的效果。还提供了利用这种激光指示器的光输入设备。
  • 激光指示器输入设备
  • [发明专利]激光器件及具有激光器件的阵列、设备、模块和系统-CN201210493444.4有效
  • 轴谷直人;佐藤俊一;菅原悟;本村宽 - 株式会社理光
  • 2009-04-28 - 2013-03-20 - H01S5/183
  • 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括:包括有源层的谐振器结构;以及半导体多层反射器,该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构,并且包括多对第一层和第二层,第一层和第二层具有不同的折射率,其中,第二层比第一层具有更高的导热率,半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器,第一局部反射器包括至少一对,其中第二层在光学厚度上大于第一层,第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间,并且包括至少一对,其中,第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层的。
  • 激光器件具有阵列设备模块系统

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