[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201580029094.8 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106463460A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 钉宫克尚;村田顕一;冈野仁志;森茂贵;川岛宽之;松野琢磨 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/00;H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 付生辉;张雪梅 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，其中，具有第一表面的半导体衬底设置有该第一表面上的绝缘膜，该半导体衬底的第二表面设置有氢供应膜，所述第二表面在该第一表面的相反侧，该氢供应膜含有选自氧化硅、TEOS、BPSG、BSG、PSG、FSG、含碳氧化硅、氮化硅、含碳氮化硅、以及含氧碳化硅中的至少一种物质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其包括：在半导体衬底的第一表面上形成绝缘膜；以及在所述半导体衬底的面对所述第一表面的第二表面上形成氢供应膜，所述氢供应膜含有氧化硅、TEOS、BPSG、BSG、PSG、FSG、含碳氧化硅、氮化硅、含碳氮化硅、以及含氧碳化硅中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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