[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置(100)包括设置在基板上的薄膜晶体管(5)，该薄膜晶体管(5)具有栅极电极(12)、与栅极电极接触的栅极绝缘层(20)、隔着栅极绝缘层以与栅极电极部分地重叠的方式配置的氧化物半导体层(18)、源极电极(14)和漏极电极(16)，氧化物半导体层(18)包括：在从基板法线方向看时与栅极电极重叠的栅极相对区域(18g)；和与栅极相对区域相邻设置且在从基板法线方向看时与栅极电极、源极电极和漏极电极中的任一个都不重叠的偏移区域(18os、18od)，栅极相对区域的载流子浓度为1×10

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n基板；/n设置在所述基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极电极、与所述栅极电极接触的栅极绝缘层、隔着所述栅极绝缘层以与所述栅极电极部分地重叠的方式配置的氧化物半导体层、和与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；/n在所述基板上排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域；/n各自与所述行方向大致平行地延伸设置的多个栅极总线；和/n各自与所述列方向大致平行地延伸设置的多个源极总线，/n所述源极电极和漏极电极在从基板法线方向看时与所述栅极电极分离地设置，/n所述氧化物半导体层包括：/n在从基板法线方向看时与所述栅极电极重叠的栅极相对区域；/n与所述栅极相对区域相邻设置的至少1个偏移区域，该偏移区域在从基板法线方向看时与所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极中的任一个都不重叠；和/n与所述偏移区域相邻设置，且与所述源极电极和所述漏极电极接触的源极连接区域和漏极连接区域，/n所述栅极相对区域的载流子浓度为1×10