[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合带有效
| 申请号： | 201580027900.8 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN106716603B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 横井启时 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/20 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明课题为提供一种半导体晶圆表面保护用粘合带，即使贴合在尤其是具有金凸块的半导体晶圆并放置，也不会发生浮起的现象，在研磨半导体晶圆的背面时，尘埃或水不会浸入，可将半导体晶圆研磨成膜，半导体晶圆不会发生破裂或残胶而能够剥离。课题解决手段为一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其至少具有粘合剂层与基材膜，并且粘合剂层不会因为能量射线的照射而固化，在23℃时对于剥离速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A与对于剥离速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0，对于剥离速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力，在23℃时为1.2～4.5N/25mm，在50℃时的粘合力为在23℃时的粘合力的50％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 保护 粘合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，贴合在表面具有高低差的半导体晶圆并在此状态下放置时不会发生浮起，/n所述半导体晶圆表面保护用粘合带至少具有粘合剂层与基材膜，/n所述粘合剂层不会因为能量射线的照射而固化，/n在23℃时对于剥离速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A与在23℃时对于剥离速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0，/n关于对于剥离速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力，在23℃时的粘合力为1.2～4.5N/25mm，在50℃时的粘合力为在23℃时的粘合力的50％以下。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580027900.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种i/q基带信号发生器
- 下一篇：一种载波频偏调节方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
