[发明专利]半导体基板和半导体元件

摘要

本发明是一种半导体基板，具有：基板；缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层，具有：第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，第二区域，设置于所述第一区域和所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。从而，提供一种半导体基板，能够一边维持高电阻层的高电阻一边提高结晶性，从而来降低漏泄电流，并且也提高被形成在所述半导体基板上的沟道层的结晶性，因而能够抑制沟道层中的电子迁移率的降低和电流坍塌的发生等。

主权项

1.一种半导体基板，具有：基板；缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层由单层构成，所述高电阻层，具有：第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，第二区域，设置于所述第一区域与所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高；所述第一区域是，包含过渡金属并且厚度为3nm以上且3000nm以下的区域，或者，不包含过渡金属并且厚度为3nm以上且500nm以下的区域。