[发明专利]氧化物半导体评价装置和该方法

摘要

在本发明的氧化物半导体评价装置和该方法中，对于评价对象的氧化物半导体，照射规定波长的光和规定的测量波，测量由所述氧化物半导体反射的所述测量波的反射波。另外，测量所述氧化物半导体的厚度。然后，基于该测量到的所述氧化物半导体的厚度，校正所述反射波的强度。因此，氧化物半导体评价装置和该方法，通过进一步考虑所述氧化物半导体的厚度而评价所述氧化物半导体的迁移率，因此能够更高精度地评价所述氧化物半导体的迁移率。

主权项

1.一种氧化物半导体评价装置，其特征在于，具备如下：将规定波长的光照射到评价对象的氧化物半导体上的光照射部；向所述氧化物半导体照射规定的测量波的测量波照射部；测量由所述氧化物半导体反射的所述测量波的反射波的反射波测量部；测量沿着所述光照射部所照射的光的行进方向这一方向上的所述氧化物半导体的厚度的厚度测量部；基于由所述厚度测量部测量出的所述氧化物半导体的厚度，校正由所述反射波测量部测量出的所述反射波的强度的处理部，所述反射波测量部，测量所述反射波的反射率，所述处理部具备求得所述反射波测量部所测量出的所述反射率的峰值的峰值运算部、和以所述厚度测量部所测量出的所述氧化物半导体的厚度，校正由所述峰值运算部求得的峰值来求得校正峰值的校正部。