[发明专利]闪光灯退火用半导体基板、退火基板、半导体装置、以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201580010104.3 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106030762A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 大槻刚;竹野博 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种闪光灯退火用半导体基板，其特征在于，用于下述制造工序，该制造工序是进行离子注入并在半导体基板表面形成p‑n结，通过闪光灯退火来修复离子注入缺陷，并且，所述半导体基板的碳浓度在0.5ppma以下。由此，提供一种闪光灯退火用半导体基板，其在使用闪光灯退火工序而制成的元件中，能够简单且切实地防止离子注入缺陷的残留。 | ||
| 搜索关键词： | 闪光灯 退火 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种闪光灯退火用半导体基板，其特征在于，用于下述制造工序，该制造工序是进行离子注入并在半导体基板表面形成p‑n结，通过闪光灯退火来修复离子注入缺陷，并且，所述半导体基板的碳浓度在0.5ppma以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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