[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201580002602.3 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN107004610B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;小田大造;大石良;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置用接合线，其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性，并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球接合性。一种半导体装置用接合线，具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，将线最表面的Cu浓度设为1～10at％，在芯材中含有总计为0.1～3.0质量％的范围的Pd、Pt中的一种或两种，由此能够实现2nd接合性的改善和高湿加热条件下的优异的球接合性。进而，优选表皮合金层的Au的最大浓度为15at％～75at％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用接合线，其特征在于，包含：芯材，其以Cu为主成分，含有总计为0.1～3.0质量％的Pd、Pt中的一种或两种；设置于该芯材表面的以Pd为主成分的被覆层；和设置于该被覆层表面的包含Au和Pd的表皮合金层，线最表面中的Cu浓度为1～10at％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
