[实用新型]集成电路

摘要

本实用新型涉及一种集成电路，包括源漏区、与该源漏区相邻的沟道区、在该沟道区之上延伸的栅极结构以及在该栅极结构的一侧上并且在该源漏区之上延伸的侧壁间隔物。提供了与该侧壁间隔物接触并且具有顶表面的电介质层。该栅极结构包括栅极电极和从该栅极电极作为突起延伸到达该顶表面的栅极接触。该栅极电极的侧表面与栅极接触的侧表面相互对准。定位在该栅极电极与该沟道区之间的用于晶体管的栅极电介质层在该栅极电极与该侧壁间隔物之间延伸并且进一步在该栅极接触与该侧壁间隔物之间延伸。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括：源漏区；与所述源漏区相邻的沟道区；在所述沟道区之上延伸的栅极结构；侧壁间隔物，所述侧壁间隔物在所述栅极结构的一侧上并且在所述源漏区之上延伸；以及电介质层，所述电介质层与所述侧壁间隔物接触并且具有顶表面；其中，所述栅极结构包括：栅极电极；从所述栅极电极延伸至所述顶表面的栅极接触；以及栅极电介质层，所述栅极电介质层在所述栅极电极与所述沟道区之间并且在所述栅极电极与所述侧壁间隔物之间延伸并且进一步在所述栅极接触与所述侧壁间隔物之间延伸。