[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

源漏区；

与所述源漏区相邻的沟道区；

在所述沟道区之上延伸的栅极结构；

侧壁间隔物，所述侧壁间隔物在所述栅极结构的一侧上并且在所述源漏区之上延伸；以及

电介质层，所述电介质层与所述侧壁间隔物接触并且具有顶表面；

其中，所述栅极结构包括：

栅极电极；

从所述栅极电极延伸至所述顶表面的栅极接触；以及

栅极电介质层，所述栅极电介质层在所述栅极电极与所述沟道区之间并且在所述栅极电极与所述侧壁间隔物之间延伸并且进一步在所述栅极接触与所述侧壁间隔物之间延伸。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述栅极电极的表面与所述栅极接触的表面对准并且平行于所述侧壁间隔物的内表面延伸。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述侧壁间隔物的高度等于所述电介质层的高度。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电介质层是层间电介质层或预金属化电介质层之一。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括从所述电介质层的所述顶表面延伸至所述源漏区的源漏接触，所述源漏接触与所述侧壁间隔物接触。

6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述栅极电极的顶表面低于所述电介质层的所述顶表面，并且其中，所述栅极接触从所述栅极电极的所述顶表面突出以达到所述电介质层的所述顶表面。

7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括在所述电介质层的所述顶表面上的金属化层，所述金属化层包括与所述栅极接触电接触的金属线。

8.一种集成电路，其特征在于，包括：

源漏区；

与所述源漏区相邻的沟道区；

在所述沟道区之上延伸的栅极结构；

侧壁间隔物，所述侧壁间隔物在所述栅极结构的一侧上并且在所述源漏区之上延伸；以及

电介质层，所述电介质层与所述侧壁间隔物接触并且具有顶表面；

其中，所述栅极结构包括：

栅极电极；以及

从所述栅极电极延伸至所述顶表面的栅极接触；

其中，所述栅极电极的侧表面与所述栅极接触的侧表面相互对准并且平行于所述侧壁间隔物的内表面延伸。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，进一步包括在所述栅极电极与所述沟道区之间的栅极电介质层，所述栅极电介质层在所述栅极电极的所述侧表面与所述侧壁间隔物的所述内表面之间延伸并且进一步在所述栅极接触的所述侧表面与所述侧壁间隔物的所述内表面之间延伸。

10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述侧壁间隔物的高度等于所述电介质层的高度。

11.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述电介质层是层间电介质层或预金属化电介质层之一。

12.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，进一步包括从所述电介质层的所述顶表面延伸至所述源漏区的源漏接触，所述源漏接触与所述侧壁间隔物接触。

13.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述栅极电极的顶表面低于所述电介质层的所述顶表面，并且其中，所述栅极接触从所述栅极电极的所述顶表面突出以达到所述电介质层的所述顶表面。

14.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，进一步包括在所述电介质层的所述顶表面上的金属化层，所述金属化层包括与所述栅极接触电接触的金属线。