[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201520764326.1 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN205039141U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 佐藤幸弘;舩津胜彦;金泽孝光;小井土雅宽;田谷博美 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/488
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种半导体器件,抑制半导体器件的可靠性降低。半导体器件具有形成于陶瓷衬底(CS1)上的多个金属图案(MP)以及搭载于多个金属图案(MP)的多个半导体芯片。另外,多个金属图案(MP)具有相互相对的金属图案(MPH)和金属图案(MPU)。另外,设置于金属图案(MPH)与金属图案(MPU)之间且从多个金属图案(MP)暴露的区域(EX1)沿着金属图案(MPH)的延伸方向以锯齿状延伸。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,具有:陶瓷衬底,其具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面;多个金属图案,其形成于所述陶瓷衬底的所述第一面;以及多个半导体芯片,其搭载于所述多个金属图案中的一部分,所述多个金属图案具有:第一金属图案,其具备第一边,搭载有所述多个半导体芯片中的多个第一半导体芯片;以及第二金属图案,其具备与所述第一金属图案的所述第一边相对的第二边,并且与所述第一金属图案分离,所述第一金属图案的所述第一边在俯视观察下具有朝向所述第二金属图案的所述第二边突出的多个第一凸部以及形成于所述多个第一凸部之间的第一凹部,所述第二金属图案的所述第二边在俯视观察下具有朝向所述第一金属图案的所述第一边突出的第二凸部以及形成于所述第二凸部的相邻两侧的多个第二凹部,所述多个第一凸部以朝向所述多个第二凹部突出的方式设置,所述第二凸部以朝向所述第一凹部突出的方式设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520764326.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top