[实用新型]半导体装置

摘要

本公开涉及半导体装置。根据一个实施例，提供了一种半导体装置，包括：MOS晶体管，形成为半导体衬底上的多个晶体管单元；所述多个晶体管单元的第一单元的体区，形成为具有宽度和长度的第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一导电类型；所述第一单元的源极区，形成为所述第一掺杂区内的第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二导电类型；栅极结构，与所述源极区以及所述体区的一部分相邻地形成，所述栅极结构具有内栅极导体，所述内栅极导体连接到外栅极导体，所述外栅极导体在所述半导体衬底上并且在所述栅极结构的外部；以及所述第一掺杂区的掺杂浓度被形成为沿着所述第一掺杂区的长度随着距所述外栅极导体的距离的增加而增加。根据本公开的多种实施例，可以提供包括MOS晶体管的半导体装置，所述MOS晶体管对栅电极上的瞬态电压具有降低的敏感度(例如在MOS晶体管停用期间)，或者其可以使来自施加到MOS晶体管的电流的损坏最小化。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：MOS晶体管，形成为半导体衬底上的多个晶体管单元；所述多个晶体管单元的第一单元的体区，形成为具有宽度和长度的第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一导电类型；所述第一单元的源极区，形成为所述第一掺杂区内的第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二导电类型；栅极结构，与所述源极区以及所述体区的一部分相邻地形成，所述栅极结构具有内栅极导体，所述内栅极导体连接到外栅极导体，所述外栅极导体在所述半导体衬底上并且在所述栅极结构的外部；以及所述第一掺杂区的掺杂浓度被形成为沿着所述第一掺杂区的长度随着距所述外栅极导体的距离的增加而增加。