[实用新型]双向耐压碳化硅固态开关有效

专利信息
申请号: 201520725338.3 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN205140965U 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 代刚;张健;李俊焘;徐星亮;张林;肖承全;周阳 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/48
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种双向耐压碳化硅固态开关,包括碳化硅芯片、转接板、定位板、键合层,碳化硅芯片包括碳化硅上芯片与碳化硅下芯片,转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱,定位板包括上定位板和下定位板,键合层包括上键合层和下键合层;碳化硅上芯片、上定位板通过上键合层与转接板上表面连接,碳化硅下芯片、下定位板通过下键合层与转接板下表面连接;转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱,通过互联金属柱实现电学互联;本实用新型可以在可靠、有效且工艺简单的前提下同时实现开关的有效关断与双向耐压。
搜索关键词: 双向 耐压 碳化硅 固态 开关
【主权项】:
双向耐压碳化硅固态开关,其特征在于:包括碳化硅芯片、转接板(2)、定位板、键合层,碳化硅芯片包括碳化硅上芯片(11)与碳化硅下芯片(12),转接板(2)的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板(2)的互联金属柱(4),定位板包括上定位板(31)和下定位板(32),键合层包括上键合层(51)和下键合层(52);上定位板(31)用于将碳化硅上芯片(11)固定于上键合层(51)上,下定位板(32)用于将碳化硅下芯片(12)固定于下键合层(52)上;碳化硅上芯片(11)、上定位板(31)通过上键合层(51)与转接板(2)上表面连接,碳化硅下芯片(12)、下定位板(32)通过下键合层(52)与转接板(2)下表面连接;所述转接板(2)的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板(2)的互联金属柱(4),通过互联金属柱(4)实现电学互联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所,未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520725338.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top