[实用新型]半导体组件和半导体器件有效
| 申请号： | 201520521804.6 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN204792696U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘春利;A·萨利 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体组件和半导体器件。本实用新型的一个目的是改进半导体器件的击穿电压和减少晶格失配。根据本实用新型的一个实施例的半导体组件包含：具有表面的半导体衬底；在所述半导体衬底上的掺杂碳的半导体材料的外延层，所述外延层具有表面，所述外延层具有碳掺杂分布；在所述外延层上的成核层；和在所述成核层上的III-氮化物材料层。本实用新型的实施例可以减少晶片应力和位错密度，并且，通过将碳掺杂硅衬底以做出III-氮化物半导体器件来增加电阻率、热导率和抗辐射性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体组件，其特征在于包含：具有表面的半导体衬底；在所述半导体衬底上的掺杂碳的半导体材料的外延层，所述外延层具有表面，所述外延层具有碳掺杂分布；在所述外延层上的成核层；和在所述成核层上的III‑氮化物材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
