[实用新型]发光二极管的半导体结构

摘要

本实用新型为发光二极管的半导体结构，包括一第一金属电极、一外延芯片以及一第二金属电极。第一金属电极及第二金属电极分别设置于外延芯片，并与外延芯片电性耦合，其中外延芯片根据第二金属电极的形状，于外延芯片的一表面形成第一区域，且第二金属电极设置于第一区域上，而外延芯片的表面更具有一粗糙表面的第二区域，该第二区域围绕第一区域，且第一区域的表面面积是大于第二金属电极的表面面积以及小于外延芯片的表面面积。通过粗糙的第二区域以进一步提升发光二极管的光输出功率，且不影响第一区域上的第二金属电极区域的光学辨识能力。

主权项

一种发光二极管的半导体结构，其特征在于，包括：一外延芯片；一第一金属电极，设置于该外延芯片，并与该外延芯片电性耦合；以及一第二金属电极，设置于该外延芯片，并与该外延芯片电性耦合；其中该外延芯片根据该第二金属电极的一形状，于该外延芯片的一表面形成一第一区域，且该第二金属电极设置于该第一区域上，而该外延芯片的表面还具有一粗糙表面的第二区域，且该第二区域围绕该第一区域；其中该第一区域的表面面积大于该第二金属电极的表面面积以及小于该外延芯片的表面面积。