[实用新型]具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520222956.6 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN204668317U | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0352 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;刘佳芳 |
地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池,在多结薄膜太阳能电池中包括至少一个pin结,所述pin结中的i层为晶体结构相同且具有能隙梯度的多层结构。这种梯度结构的太阳能电池具有较宽的能谱范围,能够吸收更多的太阳光并转化为电能,形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。同时所述pin结中的i层的梯度结构的工艺控制避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成,制备了致密的,晶粒尺寸大小均匀可控,与太阳能谱较好匹配的高质量的薄膜,同时,梯度结构有利于对太阳光的充分吸收。因而,进一步提高了薄膜太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 梯度 结构 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池,包括至少一个pin结,其特征是,所述pin结中的i层为晶体结构相同且具有能隙梯度的多层结构;所述多层结构从首层至末层由高能隙层向低能隙层排列,且任意相邻两层之间的能隙差在0.01–0.1eV之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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