[实用新型]具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201520222956.6 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN204668317U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请（专利权）人： | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;刘佳芳 |
| 地址： | 421001 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 梯度 结构 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，包括至少一个pin结，其特征是，所述pin结中的i层为晶体结构相同且具有能隙梯度的多层结构；所述多层结构从首层至末层由高能隙层向低能隙层排列，且任意相邻两层之间的能隙差在0.01–0.1eV之间。
2.根据权利要求1所述具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征是，所述多层结构选自以下五种结构之一：
(1)能隙为2.1-2.3eV的非晶SiC层向能隙为1.8-2.1eV的纳米晶SiC层均匀过渡的梯度结构；
(2)能隙为1.7eV的非晶Si层向能隙为1.7eV到1.2eV的纳米晶Si层均匀过渡的梯度结构；
(3)能隙为1.7eV到1.2eV的非晶Si1-xGex(0≤X≤1)层向能隙为1.5eV到1.2eV的非晶Si1-xGex(0≤X≤1)层均匀过渡的梯度结构；
(4)能隙为1.7eV到1.2eV的纳米晶Si层向能隙为1.5eV到1.1eV的纳米晶Si层均匀过渡的梯度结构；
(5)能隙为1.5eV到1.2eV的纳米晶Si层向能隙为1.1eV的微晶Si层均匀过渡的梯度结构。
3.根据权利要求1或2所述具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征是，所述多层结构的总厚度在0.1微米到3微米之间。
4.根据权利要求1或2所述具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征是，所述多层结构内每一层的厚度为1nm-100nm之间。
5.根据权利要求4所述具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征是，所述多层结构内每一层的厚度为1nm-10nm之间。
6.根据权利要求1或2所述具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征是，所述多层结构按照能隙差在0.01–0.02eV之间的形式均匀降低。
7.根据权利要求2所述具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征是，在所述纳米晶和微晶的多层结构中插入至少一层掺杂或者非掺杂的非晶层，所述非晶层厚度为1nm-10nm，所述掺杂的非晶层为磷或硼摻杂的非晶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
